Наряду с исследованием параметров полупроводников происходило и улучшение технологии производства устройств на их базе. Равномерно появлялись все новые элементы, с неплохими эксплуатационными чертами. 1-ый IGBT-транзистор появился в 1985 году и соединял внутри себя уникальные характеристики биполярной и полевой структур. Как оказывается, эти два узнаваемых тогда типа полупроводниковых устройств полностью могут “уживаться” вкупе. Они-то и образовали структуру, которая стала инноваторской и равномерно заполучила гигантскую популярность у разработчиков электрических схем. Сама аббревиатура IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) гласит о разработке гибридной схемы на базе биполярного и полевого транзисторов. При всем этом способность работать с большенными токами в силовых цепях одной структуры смешивалась с высочайшим входным сопротивлением другой.

Современный IGBT-транзистор отличается от собственного предшественника. Дело в том, что разработка их производства равномерно совершенствовалась. С момента возникновения первого элемента с таковой структурой его главные характеристики поменялись в наилучшую сторону:

• Коммутируемое напряжение подросло с 1000V до 4500V. Это позволило использовать силовые модули при работе в цепях завышенного напряжения. Дискретные элементы и модули стали более надежными в работе с индуктивностью в силовой цепи и поболее защищенными от импульсных помех.
• Коммутируемый ток для дискретных частей вырос до 600A в дискретном и до 1800A в модульном выполнении. Это позволило коммутировать токовые цепи большой мощности и использовать IGBT-транзистор для работы с движками, нагревателями, разными установками промышленного предназначения и т.д.
• Прямое падение напряжения в открытом состоянии свалилось до 1V. Это позволило уменьшить площадь теплоотводящих радиаторов и сразу понизить риск выхода из строя от термического пробоя.
• Частота коммутации в современных устройствах добивается 75 Гц, что позволяет использовать их в инноваторских схемах управления электроприводом. А именно, они с фуррором используются в частотных преобразователях. Такие приборы обустроены шим-контроллером, который и работает в «связке» с модулем, основной элемент в каком – IGBT-транзистор. Частотные преобразователи равномерно замещают классические схемы управления электроприводом.
• Быстродействие прибора также очень подросло. Современные транзисторы IGBT владеют di/dt = 200мкс. Имеется в виду время, затраченное на включение/отключение. По сопоставлению с первыми эталонами быстродействие возросло в 5 раз. Повышение этого параметра оказывает влияние на вероятную коммутируемую частоту, что важно при работе с устройствами, реализующими принцип шим-регулирования.

Также совершенствовались и электрические схемы, которые производили управление IGBT-транзистором. Главные требования, которые предъявлялись к ним – это обеспечить неопасное и надежное переключение устройства. Они должны учесть все слабенькие стороны транзистора, а именно, его «боязнь» перенапряжения и статического напряжения.